12月4日消息，芯片概念持续走高，截至发稿，聚灿光电直线涨停，诚迈科技、北方华创封板，澜起科技、紫光国微等大涨。消息面上，长鑫存储技术有限公司公布其最新的DRAM技术路线图，将采用19nm工艺生产4Gb和8GbDDR4，目标在2020年一季度实现商业化生产。目前长鑫月产能约为2万片，规划到2020年底晶圆月产能将达12万片。另外，长鑫存储计划再建两座DRAM晶圆厂。从长鑫存储DRAM技术发展的路线规划来看，其研发的产品线包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6，产品发展线路与三星、SK海力士、美光等国际大厂DRAM发展大体一致。